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理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即
????λ≈1240/Eg（mm）
式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。，使用不普遍。
极限参数的意义
（1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的大值。超过此值，LED发热、损坏。
（2）大正向直流电流IFm：允许加的大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。 ??
（3）大反向电压VRm：所允许加的大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。? ?
（4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。
高新尖：与传统光源单调的发光效果相比，LED光源是低压微电子产品，成功融合了计算机技术、网络通信技术、图像处理技术、嵌入式控制技术等，所以亦是数字信息化产品，是半导体光电器件“高新尖”技术，具有在线编程，无限升级，灵活多变的特点。
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