STM8S103F2M6，ST意法半导体8位MCU单片机供货

主营产品：MCU单片、存储芯片、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32F030F4P6特性：
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器集成了Arm®皮质®-工作频率为48 MHz的M0 32位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达256千字节的闪存和高达32千字节的SRAM)，以及广泛的增强型外设和I/o。所有设备都提供标准通信接口(多两个I2Cs、多两个SPI和多六个USARTs)、一个12位ADC、七个通用16位定时器和一个控制PWM定时器。
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器采用2.4至3.6V电源供电，工作温度范围为-40至+85°C。一套全面的省电模式支持低功耗应用的设计。
STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器包括四种不同封装的器件，从20引脚到64引脚不等。根据所选的设备，包括不同的外设集。以下描述概述了建议的完整系列STM32F030x4/x6/x8/xC外设。
这些特性使STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器适合各种应用，如应用控制和用户界面、手持设备、A/V接收器和数字电视、PC外设、游戏和GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和HVACs。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STM32F038C6T6
STM32F042C4U6
STM32F038C6T7
STM32F042C6U7
STM32F031F4P7
STM32F031G4U7
STM32F042F6P7
STM32F051K6U6
STM32F042K4U6
STM32F051K4U7
STM32F031C6T7
ST/意法常用型号备有大量现货。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

主营产品：MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
STM32G473xB/xC/xE器件基于Arm® Cortex-M4® 32位RISC内核。它们的工作频率高达 170 MHz。
Cortex-M4内核具有单精度浮点单元（FPU），支持所有Arm单精度数据处理指令和所有数据类型。它还实现了一整套DSP（数字信号处理）指令和存储器保护单元（MPU），从而增强了应用的安全性。
这些器件嵌入了高速存储器（512 KB 闪存和 128 KB SRAM）、用于静态存储器的灵活外部存储器控制器 （FSMC）（适用于具有 100 引脚及更多引脚封装的设备）、四通道 SPI 闪存接口以及连接到两条 APB 总线、两条 AHB 总线和一个 32 位多 AHB 总线矩阵的各种增强型 I/O 和外设。
ST意法单片机MUC型号（部分）：
STM32F103ZCT7
STM32F103VEH7
STM32F103ZEH7
STM32F101CBU6
STM32F101RBH6
STM32F103R8H6
STM32F101V8T6
STM32F103R8H7
STM32F103VBI6
STM32F100VDT6
STM32F100VET6
ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，更多产品型号规格请咨询我们的销售人员。

SCTW35N65G2VAG
汽车级碳化硅功率MOSFET 650 V、45 A、55 mOhm（典型值，TJ = 25 C），采用HiP247封装
这款碳化硅功率MOSFET器件采用意法半导体创新的2德·一代碳化硅MOSFET技术。该器件具有极低的单位面积导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STM32L496QGI3
STM32F423ZHT6
STM32L496ZGT3
STM32L4R5QII6
STM32L4S5QII6
STM32L4R7VIT6
STM32F217IGH6
STM32L4S5ZIT6
STM32F746IGK6
STM32L4R9ZGJ6
STM32F746NGH6
STM32L4S9ZIJ6
STM32F777VIT6
STM32C011J6M6
STM32G030J6M6
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STB28N65M2
N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，D2PAK封装
这些器件是采用 MDmesh™ M2 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET。由于其带状布局和改进的垂直结构，这些器件具有低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求苛刻的率转换器。
极低的栅极电荷
出色的输出电容 （C开放源码软件） 简介
雪崩测试
齐纳保护
ST意法其他部分单片机型号：
STM32F429IEH6
STM32L4R5AGI6
STM32F405ZGT7
STM32F746VGH6
STM32L4R9VGT6
STM32F765VGH6
STM32F429NEH6
STM32F429BET6
STM32F417ZGT6
STM32F429AGH6
STM32F439VGT6
STM32F746NEH6
STM32F437ZGT6
STM32F413ZHT3
STM32F745IGT6
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STD12N60DM2AG
汽车级N沟道600 V、0.370 Ohm典型值、10 A MDmesh DM2功率MOSFET，DPAK封装
STD12NF06LT4
N 沟道 60 V、典型值 70 mOh、12 A、条形场效应晶体管 II 功率 MOSFET，采用 DPAK 封装，该功率MOSFET系列采用意法半导体特的STripFET™工艺开发，该工艺设计用于小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适合用作电信和计算机应用以及具有低栅极电荷驱动要求的应用的隔离式DC-DC转换器的主开关。
ST意法其他部分单片机型号：
STM32L552CET6
STM32F303VCT7
STM32L562CEU6
STM32F411VEH6
STM32L452VET6
STM32L152RET6
STM32L552RET6
STM32L452RET3
STM32L562RET6
STM32G473RET6
STM32L475VET6
STM32G483RET6
STM32F302ZDT6
STM32G474CET3
STM32F732RET6
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STFH10N60M2
N沟道600 V、0.55 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP宽沿面封装
STFU10N80K5
N沟道800 V、0.470 Ohm典型值、9 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220FP超窄引线封装
这些压 N 沟道功率 MOSFET 采用 MDmesh™ K5 技术设计，该技术基于创新的专有垂直结构。其结果是显著降低导通电阻和低栅极电荷，适用于需要功率密度和率的应用。
ST意法其他部分单片机型号：
STM32G051K6T6
STM32L031F6P7
STM32L031F4P3
STM32L011K4U6
STM32G031C6T6
STM32G031C8U6
STM32L041F6P7
STM32L011K4T6
STM32G031C8T6
STM32G051C8U6
STM32L021K4T6
STM32L010RBT6
STM32G051C8T6
STM32L041K6U6
STM32L031C6T6
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