RB751S40T1G，肖特基二极管ON/安森美原装优势供货

NVR5198NLT1G：汽车功率MOSFET。60 V、155 mOhm、单 N 沟道逻辑电平，SOT-23。符合AEC-Q101标准的MOSFET和PPAP，适用于汽车应用。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
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MM74HC08简述：
MXMM74HC08 AND门采用的硅栅CMOS技术，可实现与LS-TTL门相似的工作速度，并具有标准CMOS集成电路的低功耗。HC08 具有缓冲输出，提供高抗噪性，并能够驱动 10 个 LS-TTL 负载。74HC 逻辑系列在功能和引脚排列上与标准 74LS 逻辑系列兼容。所有输入均受到内部二极管箝位的保护，不会因静电放电而损坏至 V抄送和地面。
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FSUSB42MUX
FSUSB42是一款双向、低功耗、双端口、高速USB2.0开关。配置为双刀双掷开关 （DPDT） 开关，针对在两个高速 （480Mbps） 源或高速和全速 （12Mbps） 源之间切换进行了优化。该FSUSB42兼容 USB2.0 的要求，并具有极低的导通电容 （C上）为5.5pF。该器件的宽带宽（720MHz）超过了通过三次谐波所需的带宽，从而使信号具有小的边沿和相位失真。出色的通道间串扰也大限度地减少了干扰。该FSUSB42在开关 I/O 引脚上包含特殊电路，用于 V抄送电源断电（V抄送=0），允许器件承受过压条件。该器件旨在将电流消耗降至低，即使施加到 SEL 引脚的控制电压低于电源电压 （V抄送).此功能对于超便携应用（如手机）特别有价值，允许与基带处理器的通用 I/O 直接连接。其他应用包括便携式手机、PDA、数码相机、打印机和笔记本电脑中的开关和连接器共享。
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NCV1117DT50RKG
NCP1117 系列是低压差 （LDO） 正线性稳压器，能够在整个温度范围内提供超过 1.0 A 的输出电流，大压差为 1.2 V（800 mA）。该系列包含 1.5 V、1.8 V、2.0 V、2.5 V、2.85 V、3.3 V、5.0 V 和 12 V 的 1 个固定输出电压，没有维持稳压的小负载要求。此外，还包括一个可调输出版本，可通过两个外部电阻器在 25.18V 至 8.1V 范围内进行编程。片上微调将基准/输出电压调节至+/- 0.1117%精度以内。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和过温关断保护。NCP20 系列可在高达 223 V 的输入电压下工作。器件采用 SOT<> 和 DPAK 封装。
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NCV7805BDTRKG线性稳压器是单片集成电路，设计为固定电压稳压器，适用于各种应用，包括本地卡上调节。这些稳压器采用内部电流限制、热关断和安全区域补偿。通过足够的散热，它们可以提供超过 1.0 A 的输出电流。虽然这些器件主要设计为固定电压调节器，但可以与外部元件一起使用，以获得可调节的电压和电流。
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NJVMJD45H11T4G功率双极结型晶体管设计用于开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中的通用电源和开关输出或驱动器级。
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MOC3041SR2M概述：
MOC303XM和MOC304XM器件由一个光耦合到单片硅探测器的AlGaAs红外发射二极管组成，该二极管具有零电压交叉双边三端双向可控硅驱动器的功能。
它们设计用于逻辑系统接口中的三端双向可控硅，用于由 115VAC 线路供电的设备，例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
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FSA2567UMX简述：
模拟开关（DPDT、SPDT、SPST 和其他配置），用作音频、数据和信号的模拟多路复用器和解复用器。
FSA2567是一款双向、低功率、双双极、，针对双SIM卡的双掷（4PDT）模拟开关多路复用。它经过优化，可用于切换WLAN−SIM数据和控制信号，并将一个通道为电源开关。FSA2567兼容SIM卡和具有10 pF的低导通电容（CON），以确保高速数据传输。VSIM开关路径具有低RON特性确保双SIM卡供电路径中的电压降小。FSA2567包含可将电流降至低的特殊电路当施加到SEL引脚的控制电压较低时的消耗而不是电源电压（VCC）。此功能在以下方面特别有价值超便携应用程序，如手机；允许直接与基带处理器的通用I/O接口。其他应用程序包括中的交换和连接器共享便携式手机、掌上电脑、数码相机、打印机和笔记本电脑计算机。
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CAT4104V-GT3简述：
CAT4104 提供四个匹配的低漏汲电流，可驱动串联的高亮度 LED，每个沟道可高达 175 mA。LED 沟道电流通过联接 RSET 引脚的外部电阻器进行设置。LED 引脚可兼容高 25 V 的高电压，支持带有多个 LED 串联的应用。EN/PWM 逻辑输入支持器件启用和高频外部脉宽调制 (PWM) 调光控制。该器件结合了高温关断保护，可在片温度超过 150°C 时禁用 LED 输出。
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